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肖特基勢壘二極體介紹
時間: 20-08-03 15:37 瀏覽次數✘·◕↟│:339

肖特基勢壘二極體◕◕││↟,又稱熱載流子二極體╃↟✘·。利用金屬-半導體(M-S)接觸特性製成◕◕││↟,有點接觸型和麵結合型兩種管芯結構╃↟✘·。

為了在真空中從金屬或半異體上放出電子◕◕││↟,就必須給電子施加一一定的能量◕◕││↟,將這個能量稱為功函式◕◕││↟,不同種類的金屬和半導體擁有各自不同的固有功函敷值╃↟✘·。使兩種材料接觸◕◕││↟,

電子會從功函式小的材料向功函式大的材料方向流動╃↟✘·。如果使n型半導體與比其功函式大的金屬材料接觸◕◕││↟,則與pn結情況一樣從半導體流出電子╃•╃◕•、而在n型半導體中形成耗盡層◕◕││↟,產生接觸電勢╃↟✘·。

由於耗盡層使得在金屬和半導體的接觸處產生了整流作用◕◕││↟,所以稱這樣的整流二極體為肖特基勢壘二極體(Schotky Barrier Diode, SBD)╃↟✘·。

另外◕◕││↟,當n型半導體與比其功函式小的金屬相接觸時◕◕││↟,由於電子從金屬向半導體的方向流動◕◕││↟,所以不會形成耗盡層◕◕││↟,也不發生整流作用◕◕││↟,成為了所謂的歐姆接觸( ohmic contact)╃↟✘·。

SBD是單極型器件◕◕││↟,由於不發生所謂的少數載流子儲存效應◕◕││↟,所以電流極性反轉時反向恢復快◕◕││↟,適用於高速開關╃↟✘·。但是◕◕││↟,對非常高速的開關而言◕◕││↟,為了使它也形成耗盡層◕◕││↟,對應接合容量的過渡電流可能會引起些問題╃↟✘·。另-方面◕◕││↟,正向壓降低也是SBD的優點╃↟✘·。 

然而◕◕││↟,用於高壓的器件製作困難◕◕││↟,因此SBD主要限定用於50V以下的低壓高速開關場合╃↟✘·。

肖特基勢壘二極體


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